【技術論壇重點整理】台積電 2025 技術論壇：AI 三階段演進、A14 製程與 CoWoS 封裝全攻略
台積電於 2025 技術論壇發表 A14、A16、N2 製程進展與 SoIC、CoWoS 等先進封裝技術，揭示 AI 時代下半導體發展藍圖。完整解析 AI 三階段演進、資料中心挑戰與特殊製程平台應用。
2025 年 5 月，台積電於新竹舉行技術論壇，發表多項 AI 世代下的製程技術與封裝進展。論壇內容涵蓋 AI 三階段的發展預測、先進製程節點 Roadmap、封裝技術 SoIC / CoWoS 更新，以及 Ultra-Low Power、非揮發性記憶體等特殊製程平台。以下為重點整理：
一、AI 三階段演進與滲透預測
台積電亞洲業務處處長 萬睿洋指出，AI 正快速演進，未來發展分為三個階段：
- 生成式 AI（Generative AI）：以圖像與語言生成為主，如 ChatGPT、Midjourney。
- 代理式 AI（Agent AI）：具備自主決策能力，能主動處理任務，如旅行規劃。
- 實體化 AI（Embodied AI）：實際部署於人形機器人與自駕車等裝置中。
花旗研究預估：
- 2035 年將有 13 億台 AI 裝置。
- 2050 年更將達 40 億台，其中 6.5 億為人形機器人。
二、邊緣運算與資料中心趨勢
聯發科總經理陳冠州指出：
- AI 邊緣裝置運算力每兩年翻倍。
- 2026 年生成式 AI 手機市占將突破 50%。
- 資料中心產值預計 2026 年達 1 兆美元。
- AI 模型運算密度每 3.3 個月倍增。
台大電副總陳寅元提出資料中心六大痛點：
- 電源來源（Power Source）
- 電力架構（Power Architecture）
- 電力分配（Power Distribution）
- 備援電力（Power Backup）
- 電源品質（Power Quality）
- 散熱管理（Cooling）
三、台積電製程技術 Roadmap：從 A14 到 N2
| 製程節點 | 量產時間 | 重點技術與改進 |
|---|---|---|
| A14 | 2026 | 效能↑10%、能效↑30%、密度↑20% |
| A16（Super Power Rail） | 2027 下半年 | 採背面供電（Backside Power Delivery），效能與功耗顯著改善 |
| N2（GAA Nanosheet） | 2025 下半年 | 採用 Nanosheet 結構，取代傳統 FinFET，速度↑18%、功耗↓36% |
| N3 系列 | 持續演進 | 包含 N3E、N3P、N3X（Extreme）、N3A（Automotive）、N3C（Cost） |
特別說明：N2 採用 Gate-All-Around（GAA） 結構，改善漏電控制與邏輯密度；N3 是最後一代 FinFET 節點。
四、封裝創新：SoIC、CoWoS、SOW 全面整合
1. SoIC（System on Integrated Chips）
- 可堆疊邏輯晶片（Face-to-Face 或 Face-to-Back）。
- 將在 2025 導入 N3/N4 的 SoIC，2029 年導入 A14/N2。
- Pitch 密度高達 CoWoS 的 64 倍，功耗僅其 0.2 倍。
2. CoWoS（Chip-on-Wafer-on-Substrate）
- 2027 將支援最多 12 顆 HBM4E。
- 導入 超大型 Reticle Interposer，整合主被動元件與 iVR（integrated Voltage Regulator）。
3. SOW（System on Wafer）
- 整合邏輯、HBM、IO 於單晶圓上，縮短連線與降低延遲。
- 手機/邊緣版本為 SOWCP，預計 2027 年量產。
五、光學封裝與電源整合新技術
Co-Packaged Optics（CPO）
- 將細光子（Photonic IC）與電子元件（EIC）共同封裝。
- 降低訊號損失、提升傳輸效率，2027 年正式導入。
iVR（Integrated Voltage Regulator）
- 把 PMIC、電感器與電容整合為單一晶片。
- 大幅減少 PCB 空間與功耗，提升系統效率。
六、特殊製程平台（Special Technology Platforms）
| 平台名稱 | 應用方向 | 技術亮點 |
|---|---|---|
| Ultra-Low Power Platform | IoT 裝置 | 降壓至超低功耗，支援長期待機 |
| Embedded Non-Volatile Memory (eNVM) | 記憶體應用 | 包含 RRAM 與 MRAM，均已在 28/22nm 節點量產 |
| Automotive BCD | 車用 PMIC | 電壓支援擴展至 100V，朝向 2nm 與更高整合度發展 |
總結
AI 革命已全面驅動台積電從製程節點、封裝技術到特殊平台的全線創新。不論是資料中心、大型 AI 晶片，還是邊緣設備與手機裝置，皆可見 AI 技術所需的算力與能效需求正快速拉升。台積電透過 A16、N2 與 SoIC/CoWoS 等技術部署，已構築未來 10 年半導體競爭的關鍵根基。
